反向传输电容(Crss):2.5pF,导通电阻(RDS(on)):270mΩ@10V,5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):17W,耗散功率(Pd):17W,输入电容(Ciss):250pF,输出电容(Coss):19pF,连续漏极电流(Id):7A,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.163/个 |
| 50+ | ¥1.681/个 |
| 150+ | ¥1.475/个 |
| 500+ | ¥1.217/个 |
| 2500+ | ¥1.102/个 |
| 5000+ | ¥1.0331/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.014
2500 PCS/盘
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