反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):270mΩ@10V,5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):17W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):-,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,5A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
耗散功率(Pd) | 17W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | - | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.15/个 |
10+ | ¥1.12/个 |
30+ | ¥1.11/个 |
100+ | ¥1.09/个 |
102+ | ¥1.09/个 |
104+ | ¥1.09/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0611
2500 PCS/盘
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