反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):4.1Ω@4.5V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):0.72nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.14W,耗散功率(Pd):1.14W,输入电容(Ciss):46pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):230mA,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.1Ω@4.5V,200mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.72nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.14W | |
耗散功率(Pd) | 1.14W | |
输入电容(Ciss) | 46pF | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 230mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.289/个 |
100+ | ¥0.229/个 |
300+ | ¥0.198/个 |
3000+ | ¥0.167/个 |
6000+ | ¥0.15/个 |
9000+ | ¥0.141/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.15364
3000 PCS/盘
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