工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):650MHz,直流电流增益(hFE):60@4.0mA,10V,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):25V,集射极饱和电压(VCE(sat)):500mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):4mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 650MHz | |
直流电流增益(hFE) | 60@4.0mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 4mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0694/个 |
500+ | ¥0.068/个 |
3000+ | ¥0.0671/个 |
6000+ | ¥0.0662/个 |
6100+ | ¥0.0662/个 |
6200+ | ¥0.0662/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06173
3000 PCS/盘
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