工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):220@2.0mA,5.0V,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):30V,集射极饱和电压(VCE(sat)):650mV,集电极截止电流(Icbo):4uA,集电极电流(Ic):100mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 220@2.0mA,5.0V | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 650mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 4uA | |
集电极电流(Ic) | 100mA |