反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):5.3Ω@4.5V,75mA,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.83W,输入电容(Ciss):40pF,输出电容(Coss):30pF,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@4.5V,75mA | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.83W | |
输入电容(Ciss) | 40pF | |
输出电容(Coss) | 30pF | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.383/个 |
100+ | ¥0.303/个 |
300+ | ¥0.263/个 |
3000+ | ¥0.229/个 |
6000+ | ¥0.205/个 |
9000+ | ¥0.193/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.21068
3000 PCS/盘
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