反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):41mΩ@4.5V,4A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V,4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.567/个 |
50+ | ¥0.456/个 |
150+ | ¥0.399/个 |
500+ | ¥0.351/个 |
3000+ | ¥0.297/个 |
6000+ | ¥0.286/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.281
3000 PCS/盘
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