反向传输电容(Crss):160pF,导通电阻(RDS(on)):0.073Ω@1.8V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):1450pF,输出电容(Coss):205pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 160pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.073Ω@1.8V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
输入电容(Ciss) | 1450pF | |
输出电容(Coss) | 205pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.572/个 |
50+ | ¥0.465/个 |
150+ | ¥0.412/个 |
500+ | ¥0.372/个 |
3000+ | ¥0.304/个 |
6000+ | ¥0.288/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.27968
3000 PCS/盘
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