反向传输电容(Crss):19pF,导通电阻(RDS(on)):180mΩ@4.5V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.25W,输入电容(Ciss):226pF,输出电容(Coss):87pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 226pF | |
| 输出电容(Coss) | 87pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.354/个 |
| 100+ | ¥0.283/个 |
| 300+ | ¥0.248/个 |
| 3000+ | ¥0.21/个 |
| 6000+ | ¥0.19/个 |
| 9000+ | ¥0.18/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1932
3000 PCS/盘
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