反向传输电容(Crss):826pF,导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@4.5V,150A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):268W,输入电容(Ciss):9417pF,输出电容(Coss):1226pF,连续漏极电流(Id):314A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 826pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V,150A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 268W | |
输入电容(Ciss) | 9417pF | |
输出电容(Coss) | 1226pF | |
连续漏极电流(Id) | 314A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.58/个 |
10+ | ¥5.32/个 |
30+ | ¥4.7/个 |
100+ | ¥4.08/个 |
500+ | ¥3.56/个 |
800+ | ¥3.37/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.1004
800 PCS/盘
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