共模抑制比(CMRR):100dB,压摆率(SR):13V/us,双电源(Vee ~ Vcc):-18V~-3.5V,双电源(Vee ~ Vcc):3.5V~18V,噪声密度(eN):18nV/√Hz@1kHz,增益带宽积(GBP):3MHz,工作温度:0℃~+70℃,放大器数:4,放大器数:四路,最大电源宽度(Vdd-Vss):36V,轨到轨:-,输入偏置电流(Ib):50pA,输入失调电压(Vos):5mV,输入失调电压温漂(Vos TC):18uV/℃,输入失调电流(Ios):25pA,输出电流:-,静态电流(Iq):8mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | FET输入运放 | |
共模抑制比(CMRR) | 100dB | |
压摆率(SR) | 13V/us | |
双电源(Vee ~ Vcc) | -18V~-3.5V | |
双电源(Vee ~ Vcc) | 3.5V~18V | |
噪声密度(eN) | 18nV/√Hz@1kHz | |
增益带宽积(GBP) | 3MHz | |
工作温度 | 0℃~+70℃ | |
放大器数 | 4 | |
放大器数 | 四路 | |
最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V | |
轨到轨 | - | |
输入偏置电流(Ib) | 50pA | |
输入失调电压(Vos) | 5mV | |
输入失调电压温漂(Vos TC) | 18uV/℃ | |
输入失调电流(Ios) | 25pA | |
输出电流 | - | |
静态电流(Iq) | 8mA |