反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.9Ω@10V,4A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.9Ω@10V,4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.59/个 |
10+ | ¥2.03/个 |
30+ | ¥1.79/个 |
100+ | ¥1.5/个 |
500+ | ¥1.37/个 |
800+ | ¥1.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.1868
800 PCS/盘
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