写周期时间(Tw):45ns,块擦除时间(tBE):3ms,存储容量:1Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:1.7V~1.95V,接口类型:-,数据保留 - TDR(年):10年,页写入时间(Tpp):300us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 45ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 3ms | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 接口类型 | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |