反向传输电容(Crss):23pF,导通电阻(RDS(on)):0.48Ω@10V,6.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):44nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):48W,输入电容(Ciss):2149pF,输出电容(Coss):211pF,连续漏极电流(Id):13A,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 23pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.48Ω@10V,6.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 48W | |
输入电容(Ciss) | 2149pF | |
输出电容(Coss) | 211pF | |
连续漏极电流(Id) | 13A | |
配置 | 半桥 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.615/个 |
10+ | ¥1.306/个 |
50+ | ¥1.0438/个 |
100+ | ¥0.891/个 |
500+ | ¥0.799/个 |
1000+ | ¥0.755/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0438
50 PCS/盘