反向传输电容(Crss):1.2pF,导通电阻(RDS(on)):0.7Ω@10V,3.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:-,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):360pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.7Ω@10V,3.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 35W | |
输入电容(Ciss) | 360pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.69/个 |
10+ | ¥2.93/个 |
50+ | ¥2.55/个 |
100+ | ¥2.158/个 |
500+ | ¥1.931/个 |
1000+ | ¥1.822/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.346
50 PCS/盘
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