反向传输电容(Crss):350pF,导通电阻(RDS(on)):7mΩ@10V,40A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):130nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:-,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):6800pF,输出电容(Coss):630pF,连续漏极电流(Id):130A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,40A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 6800pF | |
| 输出电容(Coss) | 630pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.74/个 |
| 10+ | ¥3.83/个 |
| 50+ | ¥3.37/个 |
| 100+ | ¥2.92/个 |
| 500+ | ¥2.65/个 |
| 1000+ | ¥2.51/个 |
| 2000+ | ¥2.48/个 |
| 4000+ | ¥2.45/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.1004
50 PCS/盘
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