反向传输电容(Crss):11pF,反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电压(Vgs):±20V,栅极电荷量(Qg):12nC,栅极电荷量(Qg):13nC,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):415pF,输入电容(Ciss):520pF,输出电容(Coss):112pF,输出电容(Coss):100pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 输出电容(Coss) | 112pF | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.265/个 |
| 50+ | ¥0.973/个 |
| 150+ | ¥0.848/个 |
| 500+ | ¥0.691/个 |
| 2500+ | ¥0.622/个 |
| 4000+ | ¥0.58/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.566
4000 PCS/盘
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