射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):250MHz,直流电流增益(hFE):180@100mA,3.0V,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):32V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.4V@500mA,50mA,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 250MHz | |
直流电流增益(hFE) | 180@100mA,3.0V | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.4V@500mA,50mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.158/个 |
200+ | ¥0.123/个 |
600+ | ¥0.104/个 |
3000+ | ¥0.092/个 |
9000+ | ¥0.0819/个 |
21000+ | ¥0.0765/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.08464
3000 PCS/盘
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