反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.25Ω@1.8V,350mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):750pC@4.5V,10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):225mW,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):500mA,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@1.8V,350mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V,10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.196/个 |
| 200+ | ¥0.149/个 |
| 600+ | ¥0.124/个 |
| 3000+ | ¥0.108/个 |
| 9000+ | ¥0.0948/个 |
| 21000+ | ¥0.0876/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09936
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉25.92元