工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):50MHz,直流电流增益(hFE):100@100mA,1.0V,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):60V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.25V@100mA,10mA,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 50MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@100mA,1.0V | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.25V@100mA,10mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.195/个 |
200+ | ¥0.154/个 |
600+ | ¥0.132/个 |
3000+ | ¥0.119/个 |
9000+ | ¥0.107/个 |
21000+ | ¥0.101/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.10948
3000 PCS/盘
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