反向传输电容(Crss):77pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):954pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.2/个 |
| 200+ | ¥0.165/个 |
| 600+ | ¥0.145/个 |
| 3000+ | ¥0.133/个 |
| 9000+ | ¥0.123/个 |
| 21000+ | ¥0.117/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.12236
3000 PCS/盘
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