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TLC372CDR
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- TLC372CDR
- 商品编号
- C139354
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000173千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
传播延迟(tpd):200ns,共模抑制比(CMRR):-,单电源:3V~16V,双电源(Vee ~ Vcc):2V~18V,双电源(Vee ~ Vcc):-18V~-2V,响应时间(tr):0.2us,工作温度:0℃~+70℃,最大电源宽度(Vdd-Vss):18V,比较器数:2,比较器数:双路,滞后电压(Vhys):-,输入偏置电流(Ib):5pA,输入失调电压(Vos):1.5mV,输入失调电流(Ios):1pA,输出模式:CMOS,输出模式:MOS,输出模式:TTL,输出类型:开漏,输出类型:开漏,输出类型:TTL,输出类型:MOS,静态电流(Iq):150uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 传播延迟(tpd) | 200ns | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 单电源 | 3V~16V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 2V~18V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | -18V~-2V | |
| 响应时间(tr) | 0.2us | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 18V | |
| 比较器数 | 2 | |
| 比较器数 | 双路 | |
| 滞后电压(Vhys) | - | |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 1.5mV | |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA | |
| 输出模式 | CMOS | |
| 输出模式 | MOS | |
| 输出模式 | TTL | |
| 输出类型 | 开漏 | |
| 输出类型 | 开漏 | |
| 输出类型 | TTL | |
| 输出类型 | MOS | |
| 静态电流(Iq) | 150uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.01/个 |
| 10+ | ¥4.81/个 |
| 30+ | ¥4.21/个 |
| 100+ | ¥3.62/个 |
| 500+ | ¥3.22/个 |
| 1000+ | ¥3.03/个 |
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