反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):180mΩ@4.5V,2A,工作温度:-,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):240pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V,2A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.35W | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.506/个 |
| 50+ | ¥0.406/个 |
| 150+ | ¥0.356/个 |
| 500+ | ¥0.319/个 |
| 3000+ | ¥0.272/个 |
| 6000+ | ¥0.257/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.25024
3000 PCS/盘
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