反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):180mΩ@4.5V,2A,工作温度:-,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):240pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V,2A | |
工作温度 | - | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
输入电容(Ciss) | 240pF | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.506/个 |
50+ | ¥0.406/个 |
150+ | ¥0.356/个 |
500+ | ¥0.319/个 |
3000+ | ¥0.272/个 |
6000+ | ¥0.257/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.25024
3000 PCS/盘
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