反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@4.5V,5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):7.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,5A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.133/个 |
50+ | ¥0.885/个 |
150+ | ¥0.779/个 |
500+ | ¥0.647/个 |
2500+ | ¥0.588/个 |
4000+ | ¥0.553/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.52
4000 PCS/盘
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