反向传输电容(Crss):387pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@4.5V,5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):40nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):9130pF,输出电容(Coss):625pF,连续漏极电流(Id):7.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 387pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 9130pF | |
| 输出电容(Coss) | 625pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.762/个 |
| 50+ | ¥0.659/个 |
| 150+ | ¥0.615/个 |
| 500+ | ¥0.559/个 |
| 2500+ | ¥0.535/个 |
| 4000+ | ¥0.52/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.52
4000 PCS/盘