反向传输电容(Crss):50pF,导通电阻(RDS(on)):0.19Ω@10V,13.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):114nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):208W,输入电容(Ciss):2400pF,输出电容(Coss):780pF,连续漏极电流(Id):20.7A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V@1000uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 50pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.19Ω@10V,13.1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 208W | |
输入电容(Ciss) | 2400pF | |
输出电容(Coss) | 780pF | |
连续漏极电流(Id) | 20.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@1000uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.88/个 |
10+ | ¥9.18/个 |
30+ | ¥8.12/个 |
90+ | ¥7.03/个 |
510+ | ¥6.54/个 |
990+ | ¥6.33/个 |
整盘
单价
整盘单价¥7.4704
30 PCS/盘
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