反向传输电容(Crss):310pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@4.5V,10.4A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):69W,耗散功率(Pd):69W,输入电容(Ciss):2775pF,输出电容(Coss):480pF,连续漏极电流(Id):58A,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 310pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,10.4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 69W | |
耗散功率(Pd) | 69W | |
输入电容(Ciss) | 2775pF | |
输出电容(Coss) | 480pF | |
连续漏极电流(Id) | 58A | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.36/个 |
10+ | ¥3.54/个 |
30+ | ¥3.13/个 |
100+ | ¥2.72/个 |
500+ | ¥2.47/个 |
1000+ | ¥2.35/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.162
2500 PCS/盘
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