反向传输电容(Crss):90pF,导通电阻(RDS(on)):0.077Ω@4.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):40nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):38.5W,耗散功率(Pd):38.5W,输入电容(Ciss):1710pF,输出电容(Coss):130pF,连续漏极电流(Id):19A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.077Ω@4.5V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1710pF | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.88/个 |
| 10+ | ¥2.82/个 |
| 30+ | ¥2.78/个 |
| 100+ | ¥2.45/个 |
| 102+ | ¥2.45/个 |
| 104+ | ¥2.45/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.254
2000 PCS/盘
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