反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.048Ω@4.5V,7.7A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):96nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):4433pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):38A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.048Ω@4.5V,7.7A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 136W | |
输入电容(Ciss) | 4433pF | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 38A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥9.54/个 |
10+ | ¥7.82/个 |
30+ | ¥6.88/个 |
100+ | ¥5.81/个 |
500+ | ¥5.33/个 |
1000+ | ¥5.12/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.0662
2000 PCS/盘
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