反向传输电容(Crss):405pF,导通电阻(RDS(on)):0.028Ω@10V,50A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):165nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,耗散功率(Pd):113W,输入电容(Ciss):4950pF,输出电容(Coss):480pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 405pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.028Ω@10V,50A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 输入电容(Ciss) | 4950pF | |
| 输出电容(Coss) | 480pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.99/个 |
| 10+ | ¥7.35/个 |
| 30+ | ¥6.45/个 |
| 100+ | ¥5.43/个 |
| 500+ | ¥4.97/个 |
| 1000+ | ¥4.77/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.77
2000 PCS/盘