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TPH1R712MD,L1Q
扩展库- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 厂家型号
- TPH1R712MD,L1Q
- 商品编号
- C141596
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.000107千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.7mΩ@4.5V,30A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):182nC@5.0V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):78W,输入电容(Ciss):10900pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@1.0mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@4.5V,30A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 182nC@5.0V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 输入电容(Ciss) | 10900pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@1.0mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.22/个 |
| 10+ | ¥8.42/个 |
| 30+ | ¥7.3/个 |
| 100+ | ¥6.15/个 |
| 500+ | ¥5.63/个 |
| 1000+ | ¥5.4/个 |
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