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SI4599DY-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI4599DY-T1-GE3
- 商品编号
- C141629
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000245千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):95pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11.8nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):3.1W,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):640pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):-,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.36/个 |
| 10+ | ¥1.83/个 |
| 30+ | ¥1.6/个 |
| 100+ | ¥1.32/个 |
| 500+ | ¥1.19/个 |
| 1000+ | ¥1.12/个 |
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