射基极击穿电压(Vebo):7V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):150MHz,直流电流增益(hFE):80@1A,5V,耗散功率(Pd):500mW,集射极击穿电压(Vceo):60V,集射极饱和电压(VCE(sat)):160mV@1A,100mA,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):1A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 150MHz | |
直流电流增益(hFE) | 80@1A,5V | |
耗散功率(Pd) | 500mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 160mV@1A,100mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 1A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.302/个 |
100+ | ¥0.238/个 |
300+ | ¥0.206/个 |
3000+ | ¥0.182/个 |
6000+ | ¥0.163/个 |
9000+ | ¥0.154/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.16744
3000 PCS/盘
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