反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.5nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,类型:-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):364pF,输出电容(Coss):7pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@0.09mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 364pF | |
输出电容(Coss) | 7pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.09mA |