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SQ2303ES-T1_GE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
厂家型号
SQ2303ES-T1_GE3
商品编号
C142519
商品封装
SOT-23
商品毛重
0.000035千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):0.37Ω@4.5V,1.3A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6.8nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.9W,输入电容(Ciss):210pF,输出电容(Coss):50pF,连续漏极电流(Id):2.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)35pF
导通电阻(RDS(on))0.37Ω@4.5V,1.3A
工作温度-55℃~+175℃
数量1个P沟道
栅极电荷量(Qg)6.8nC@10V
漏源电压(Vdss)30V
类型P沟道
耗散功率(Pd)1.9W
输入电容(Ciss)210pF
输出电容(Coss)50pF
连续漏极电流(Id)2.5A
配置-
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA

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