反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):4.1A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 3W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.842/个 |
50+ | ¥1.429/个 |
150+ | ¥1.252/个 |
500+ | ¥1.0304/个 |
3000+ | ¥0.932/个 |
6000+ | ¥0.873/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.87
3000 PCS/盘
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