反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.54Ω@10V,0.90A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.3nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):1.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.54Ω@10V,0.90A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.408/个 |
| 50+ | ¥1.82/个 |
| 150+ | ¥1.568/个 |
| 500+ | ¥1.254/个 |
| 2500+ | ¥1.114/个 |
| 5000+ | ¥1.03/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0295
2500 PCS/盘
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