温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2342DS-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI2342DS-T1-GE3
- 商品编号
- C142553
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000035千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):200pF,导通电阻(RDS(on)):0.075Ω@1.2V,6A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):8V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1070pF,输出电容(Coss):385pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.075Ω@1.2V,6A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1070pF | |
| 输出电容(Coss) | 385pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V@250uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.89/个 |
| 10+ | ¥2.27/个 |
| 30+ | ¥2.01/个 |
| 100+ | ¥1.68/个 |
| 500+ | ¥1.53/个 |
| 1000+ | ¥1.44/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥1.3248
3000 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉345.6元
送
换料费券¥300
库存总量
333 PCS电话
顶部
元器件购物车