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SI4134DY-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI4134DY-T1-GE3
- 商品编号
- C142600
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000242千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):5W,耗散功率(Pd):5W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.281/个 |
| 50+ | ¥1.0052/个 |
| 150+ | ¥0.887/个 |
| 500+ | ¥0.74/个 |
| 2500+ | ¥0.615/个 |
| 5000+ | ¥0.576/个 |
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