反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):0.1Ω@6V,10A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.7W,耗散功率(Pd):62W,输入电容(Ciss):900pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.1Ω@6V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.139/个 |
| 10+ | ¥8.48/个 |
| 30+ | ¥8.0648/个 |
| 100+ | ¥7.0788/个 |
| 500+ | ¥6.888/个 |
| 1000+ | ¥6.8/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.8
2000 PCS/盘