反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.016Ω@1.8V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):55nC@4.5V,漏源电压(Vdss):8V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):6.5W,耗散功率(Pd):6.5W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):13.7A,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.016Ω@1.8V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 6.5W | |
| 耗散功率(Pd) | 6.5W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.7A | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥14.66/个 |
| 10+ | ¥14.36/个 |
| 30+ | ¥14.16/个 |
| 100+ | ¥13.96/个 |
| 102+ | ¥13.96/个 |
| 104+ | ¥13.96/个 |
整盘
单价
整盘单价¥12.8432
2500 PCS/盘
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