反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):0.1Ω@4.5V,10A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):41nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):46W,输入电容(Ciss):1490pF,输出电容(Coss):200pF,连续漏极电流(Id):20A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 120pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.1Ω@4.5V,10A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 46W | |
输入电容(Ciss) | 1490pF | |
输出电容(Coss) | 200pF | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.14/个 |
10+ | ¥5.06/个 |
30+ | ¥4.47/个 |
100+ | ¥3.61/个 |
500+ | ¥3.325/个 |
1000+ | ¥3.192/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.18
2000 PCS/盘
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