反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.76Ω@4V,2.8A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.1nC@5.0V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):43W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):5.6A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.76Ω@4V,2.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@5.0V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.66/个 |
| 10+ | ¥3.25/个 |
| 50+ | ¥3.04/个 |
| 100+ | ¥2.726/个 |
| 500+ | ¥2.602/个 |
| 1000+ | ¥2.544/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.7968
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉12.16元