SI4825DDY-T1-GE3实物图
SI4825DDY-T1-GE3缩略图
SI4825DDY-T1-GE3缩略图
SI4825DDY-T1-GE3缩略图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

SI4825DDY-T1-GE3

扩展库
品牌名称
VISHAY(威世)
厂家型号
SI4825DDY-T1-GE3
商品编号
C143671
商品封装
SO-8
商品毛重
0.000245千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):390pF,导通电阻(RDS(on)):0.0205Ω@4.5V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):29.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):5W,耗散功率(Pd):5W,输入电容(Ciss):2550pF,输出电容(Coss):455pF,连续漏极电流(Id):14.9A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@0.25mA

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)390pF
导通电阻(RDS(on))0.0205Ω@4.5V,8A
工作温度-55℃~+150℃
数量1个P沟道
栅极电荷量(Qg)29.5nC@10V
漏源电压(Vdss)30V
类型P沟道
耗散功率(Pd)5W
耗散功率(Pd)5W
输入电容(Ciss)2550pF
输出电容(Coss)455pF
连续漏极电流(Id)14.9A
阈值电压(Vgs(th))2.5V@0.25mA

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

阶梯价格(含税价)

梯度售价
1+¥2.4/个
10+¥1.86/个
30+¥1.63/个
100+¥1.34/个
500+¥1.22/个
1000+¥1.14/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥1.134

2500 PCS/盘

嘉立创补贴0.53%

一盘能省掉15

换料费券¥300

库存总量

10317 PCS
电话
顶部
元器件购物车