SI4948BEY-T1-E3实物图
SI4948BEY-T1-E3缩略图
SI4948BEY-T1-E3缩略图
SI4948BEY-T1-E3缩略图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

SI4948BEY-T1-E3

扩展库
品牌名称
VISHAY(威世)
厂家型号
SI4948BEY-T1-E3
商品编号
C143744
商品封装
SO-8
商品毛重
0.000245千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.15Ω@4.5V,2.8A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.4W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):3.1A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)-
导通电阻(RDS(on))0.15Ω@4.5V,2.8A
工作温度-55℃~+175℃
数量2个P沟道
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
漏源电压(Vdss)60V
类型P沟道
耗散功率(Pd)2.4W
输入电容(Ciss)-
输出电容(Coss)-
连续漏极电流(Id)3.1A
配置-
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

阶梯价格(含税价)

梯度售价
1+¥6.47/个
10+¥5.23/个
30+¥4.55/个
100+¥3.78/个
500+¥3.44/个
1000+¥3.28/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥3.28

2500 PCS/盘

换料费券¥300

库存总量

1144 PCS
电话
顶部
元器件购物车