反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.021Ω@4.5V,8.7A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.9W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):10.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@0.25mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.021Ω@4.5V,8.7A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2.9W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@0.25mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.43/个 |
10+ | ¥5.77/个 |
30+ | ¥5.4/个 |
100+ | ¥4.88/个 |
500+ | ¥4.704/个 |
1000+ | ¥4.626/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.626
2500 PCS/盘