反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):84mΩ@10V,4A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):285pF,输出电容(Coss):45pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 25pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@10V,4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 285pF | |
输出电容(Coss) | 45pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.519/个 |
50+ | ¥0.421/个 |
150+ | ¥0.371/个 |
500+ | ¥0.329/个 |
3000+ | ¥0.275/个 |
6000+ | ¥0.265/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.253
3000 PCS/盘
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