反向传输电容(Crss):49pF,导通电阻(RDS(on)):41mΩ@4.5V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.4nC@10V,漏源电压(Vdss):25V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):430pF,输出电容(Coss):110pF,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):2.35V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.973/个 |
| 50+ | ¥0.764/个 |
| 150+ | ¥0.674/个 |
| 500+ | ¥0.563/个 |
| 3000+ | ¥0.469/个 |
| 6000+ | ¥0.439/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.432
3000 PCS/盘
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