反向传输电容(Crss):77pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):52mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):10.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):808pF,输出电容(Coss):85pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 808pF | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.451/个 |
| 100+ | ¥0.356/个 |
| 300+ | ¥0.309/个 |
| 1000+ | ¥0.273/个 |
| 5000+ | ¥0.237/个 |
| 10000+ | ¥0.223/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.209
10000 PCS/盘
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