反向传输电容(Crss):105pF,反向传输电容(Crss):118pF,导通电阻(RDS(on)):14mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):16.1nC@10V,栅极电荷量(Qg):21.1nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):767pF,输入电容(Ciss):1002pF,输出电容(Coss):110pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):8.5A,连续漏极电流(Id):7A,连续漏极电流(Id):7A,配置:共源,阈值电压(Vgs(th)):1.45V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.7V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.1nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1002pF | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 配置 | 共源 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0231/个 |
| 50+ | ¥0.997/个 |
| 150+ | ¥0.98/个 |
| 500+ | ¥0.963/个 |
| 510+ | ¥0.963/个 |
| 520+ | ¥0.963/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.95
2500 PCS/盘
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