DMC3021LSD-13实物图
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DMC3021LSD-13

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品牌名称
DIODES(美台)
厂家型号
DMC3021LSD-13
商品编号
C144163
商品封装
SO-8
商品毛重
0.000388千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):105pF,反向传输电容(Crss):118pF,导通电阻(RDS(on)):14mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):16.1nC@10V,栅极电荷量(Qg):21.1nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):767pF,输入电容(Ciss):1002pF,输出电容(Coss):110pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):8.5A,连续漏极电流(Id):7A,连续漏极电流(Id):7A,配置:共源,阈值电压(Vgs(th)):1.45V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.7V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)105pF
反向传输电容(Crss)118pF
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷量(Qg)16.1nC@10V
栅极电荷量(Qg)21.1nC@10V
漏源电压(Vdss)30V
漏源电压(Vdss)30V
类型N沟道+P沟道
耗散功率(Pd)2.5W
输入电容(Ciss)767pF
输入电容(Ciss)1002pF
输出电容(Coss)110pF
输出电容(Coss)125pF
连续漏极电流(Id)8.5A
连续漏极电流(Id)7A
连续漏极电流(Id)7A
配置共源
阈值电压(Vgs(th))1.45V@250uA
阈值电压(Vgs(th))1.7V@250uA

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阶梯价格(含税价)

梯度售价
1+¥1.0231/个
50+¥0.997/个
150+¥0.98/个
500+¥0.963/个
510+¥0.963/个
520+¥0.963/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥0.95

2500 PCS/盘

嘉立创补贴1.35%

一盘能省掉32.5

换料费券¥300

库存总量

65 PCS
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