反向传输电容(Crss):145pF,导通电阻(RDS(on)):0.049Ω@4.5V,5.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):38nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):4.2W,耗散功率(Pd):4.2W,输入电容(Ciss):1006pF,输出电容(Coss):180pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.049Ω@4.5V,5.6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1006pF | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.946/个 |
| 50+ | ¥1.501/个 |
| 150+ | ¥1.311/个 |
| 500+ | ¥1.0733/个 |
| 2500+ | ¥0.968/个 |
| 5000+ | ¥0.904/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.934
2500 PCS/盘
嘉立创补贴3.51%
一盘能省掉85元