反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.059Ω@1.8V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):7.1A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.059Ω@1.8V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |